两种类型的点缺陷分别是肖特基（S）和弗伦克尔（F）；如图所示。S与空缺位置有关，而F类型指的是间隙位置，例如，在F情况下，一个原子和一个离子显示为蓝色和白色离子。
形成缺陷需要能量，因此定义为吸热过程。产生缺陷所需的能量消耗被熵的增加所抵消。
由于点缺陷的形成，晶体自由能的总体变化为：
ΔG = ΔH – TΔS
点缺陷的形成是由统计热力学平衡规则控制的，因此在任何温度下都存在缺陷的均衡总体。
在上面，换位得到熵变ΔS，如：
ΔS = (ΔH - ΔG)/ T
缺陷的增加会增加ΔH，从而导致熵的增加;考虑到熵的增加与无序的增加有关，这就不足为奇了。
此外，考虑到缺陷产生的吸热性质，温度的升高会增加缺陷浓度——即增加偏离完美晶格结构的无序度——正如勒切塔利尔原理所预期的那样。
