为什么氮化镓优于硅?

时间:2021-07-31 10:39:55   作者:
多年来,硅一直是晶体管的首选材料。然而,由于硅技术自身的特点,硅技术在功率转换领域已经达到了饱和点,此时GaN技术带来了新的突破。首先得出结论,GaN充电器在尺寸、充电速度和能量效率方面都优于硅充电器。站长猜您对硅的文章感兴趣:硅基生物有可能存在吗?

以下是他们的不同之处:

为什么氮化镓优于硅?

从图中对比可以看出,氮化镓的禁带宽度为3.4 eV,硅的禁带宽度为1.12 eV。因此,氮化镓能够承受更高的温度和电压。因此,用GaN处理电荷更快,充电速度更快,能量有效流动。氮化镓效率更高,所以热量更少。更少的热量意味着内部组件可以靠得更近,所以在保持相同的功率能力和安全标准的同时,GaN充电器可以比硅充电器更小,这增加了方便性。
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