自1986年发现高t_c的铜酸超导体以来，许多研究人员一直试图揭示高t_c的机理。在过去的30年里，他们发展了一种解释高T_c的方法，推导出角分辨光电发射光谱（ARPES）中，由于能隙与T_c成正比，所以在背角处的大能隙才是真正的超导能隙。超导背极间隙的大小比BCS理论预测的大得多。因此，需要一种新的超导体理论来解释高T_c。然而，对于欠掺杂晶体，除了腹点间隙外，还观察到节点间隙，如下图所示。这动摇了高t_c d波模型的根基。因此，需要明确超导节点间隙形成的原因和机理。
首先，我们定义递波对称配对具有超导差距在波腹和没有差距在k-space节点，以及改变相位波腹之间左面板（见图1），这意味着一个超电流零阻流波腹，因为金属电阻零差距造成的节点存在。这在s波对对称方面是唯一的，并被认为导致了比BCS理论预测的更高的T_c。
图1 （a-f）显示了La_{2-x}Sr_xCuO_4 （LSCO）的费米弧掺杂关系和ARPES观测到的能量分布曲线（EDC）的测量位置;这些引用自[T。吉田等。]。其中x=0.03不含T_c晶体和x=0.07不含T_c=14 K晶体的节点间隙较大，用数字“1”和黑点表示（图1d、1e和图1g）。节点间隙必须不是超导间隙，而是伪间隙，如y=6.30或y=6.35所示。在x=0.15时，存在腹线间隙，间隙各向异性如图1f和1g所示，节点超导间隙大小约为10 meV（图1f）。在T_c [T。这表明该间隙不是超导间隙（或伪间隙）。从图1（e）可以看出，在腹点处（符号红星）E_F的位置比在节点处（黑点）的位置要低，这证明了在腹点处几乎没有费米能量（正态载流子）：这不能用d波模型解释（在d波模型中，E_F在腹点的位置必须高于节点的位置）。这与费米弧的结果一致（图1a和1b）。在此基础上，提出超导间隙是在节点处形成的。在节点处超导间隙的形成与d波模型中提出的腹线间隙的形成并不一致。
图1左图显示了d波电子结构和k空间中费米曲面的描述。（a-c） La_{2-x}Sr_xCuO_4 （LSCO）单晶在20 K时显示费米弧的ARPES光谱。x=0.03的晶体没有T_c。当x=0.07时，T_c为14 K;当x=0.15时，T_c为39 K。（d-f）在（a-c）中每个箭头附近测量的EDC。（d-f）中的黑色竖条对应于反节EDC，表示腹隙的能量位置。（g）超导能隙的排列和间隙各向异性。在x=0.04和0.07处显示的节点间隙被视为伪间隙。
图2显示了用ARPES系统测量的欠掺杂YBCO薄膜的EDC光谱[Sassa Yasumine的博士论文，超导节点间隙明显，而在腹点处没有间隙。
图2:超导节点间隙。（a） PLD制备的欠掺杂YBCO薄膜的近费米能级EF，在70 eV光子能量下的光谱强度图，其能量积分为±5 meV窗。（b, c, d）在K -pace中切割（1），（2），（3）处获得的ARPES光谱，如（a）中的线所示。在k_F和T = 10 K处的EDC为光谱中所示的切割（蓝色虚线和绿色虚线）。小的能隙显示在节点处。
图3显示了未掺杂BSCCO样品的超导节隙[Z]。图3（a）给出了T_c上下节点B处EDC曲线的相似形状。这可以解释为没有超导间隙，但在节点B的费米能级上升，由曲线B节点和曲线A腹之间的箭头表示，揭示了超导间隙的存在。在T_c下面和上面的节点B出现类似曲线的原因是这些曲线是由低分辨率ARPES系统测量的。图3b显示了约为10 meV的节点间隙。利用Gap=10 meV, T_c=89 K和Boltzman常数k_B计算得到的耦合常数b=2Gap/k_BT_c近似为b=2.6，表明BCS晶体中的配对机制符合BCS理论（b=3.5）。这就解释了库珀对中声子的贡献。
此外，我们还提到，在T_c上，对于欠掺杂BSCCO样品，在波腹处存在能隙。桥本等]，该理论否认了在腹点处存在超导缺口。T_c附近节点间隙消失[T。Yoshida et, M. Hashimoto et .]，这揭示了节点间隙是一个真正的间隙[Kim2]。
当存在间隙各向异性时，超导间隙存在于节点而非腹点处。当节点间隙与腹间隙大小相等时，真正的超导间隙为节点间隙，即各向同性间隙。
图3:（a）在欠掺杂BSCCO晶体中测量的ARPES数据。在Tc上下B（节点）处测量的曲线形状相似。特别是在低于Tc的B处，超导间隙没有显示出来。
综上所述，由于d波赝能隙，超导能隙在节点处形成，并随着掺杂量的增加（Kim）从节点向腹节生长。对于欠掺杂晶体，节点间隙是各向同性s波间隙的前兆。铜超导体的对对称是横波的，与d波无关。高T_c归因于大的二维态密度，被认为是由电子-电子相互作用引起的有效质量[Kim]。
